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應用于IGBT的NTC熱敏芯片于散熱方面的重大突破
發(fā)布者 : admin 發(fā)布時間 : 2018/05/07 04:05:10

應用于IGBT的NTC熱敏芯片于散熱方面的重大突破


“中國制造2025”發(fā)展規(guī)劃頒布后,工業(yè)智能化和綠色化發(fā)展成為主題,因此,智能控制和IGBT等功率半導體是發(fā)展的關鍵。目前,中國是世界上最大的IGBT消費國之一,IGBT消費市場高達約80億元。


作為新一代電力半導體器件,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)應用領域廣泛,堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶,到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),都有它的身影。IGBT模塊是高鐵列車牽引傳動系統(tǒng)的核心部件,直接影響著高鐵列車的性能能 —— 能否瞬間起跑、舒適飛馳和穩(wěn)定停車。


如何解決IGBT模塊的散熱問題是技術突破的關鍵。以下總結了四種IGBT模塊散熱的方法:


1、提高IGBT模塊內(nèi)部的導熱導電性能、耐受功率循環(huán)的能力, IGBT模塊內(nèi)部引線技術經(jīng)歷了粗鋁線鍵合、 鋁帶鍵合再到銅線鍵合的過程,提高了載流密度。


2、采用新的焊接工藝,傳統(tǒng)焊料為錫鉛合金, 成本低廉、工藝簡單, 但存在環(huán)境污染問題, 且車用功率模塊的芯片溫度已經(jīng)接近錫鉛焊料熔點(220℃)。


3、改進DBC和模塊底板,降低散熱熱阻, 提高熱可靠性, 減小體積,降低成本等。以 AlN AlSiC 等材料取代 DBC 中的Al2O3Si3N4等常規(guī)陶瓷,熱導率更高,與Si 材料的熱膨脹系數(shù)匹配更好。


4、擴大模塊與散熱底板間的連接面積,如端子壓接技術。


用于控制IGBT模塊內(nèi)溫度的關鍵部分是NTC熱敏芯片,NTC芯片具有控制溫度和溫度補償?shù)墓δ?,愛晟電子自主研發(fā)、生產(chǎn)的IGBTNTC熱敏芯片可用于邦定、焊接工藝,具有良好的耐熱循環(huán)能力,芯片尺寸及參數(shù)要求都可以根據(jù)客戶需求定制。了解關于更多NTC熱敏電阻請閱:http://www.iaemcme.com/dt/show/1.html

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