NTC熱敏芯片因其電阻值隨溫度變化而變化的特點，被廣泛應用于溫度監(jiān)測、溫度控制、溫度補償?shù)雀鞣N場合，在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中擔任舉足輕重的角色。IGBT因其具備高輸入阻抗、低導通壓降的優(yōu)點，目前已成為發(fā)展迅速的電力電子器件之一，并逐步替代晶體閘流管和門極可關斷晶閘管（Gate-Turn-Off Thyristor）。IGBT具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高 (10-40 kHz) 等特點，被廣泛應用于小體積、高效率的變頻電源、電機調(diào)速、 UPS 及逆變焊機當中。

IGBT是由柵極（G）、發(fā)射極（E）和集電極（C）三個極控制。其工作原理是通過加正向柵極電壓以形成溝道，給PNP（Plug-and-Play，即插即用）晶體管提供基極電流，使IGBT導通；反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。如果在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor）便會導通，而PNP晶體管的集電極與基極之間成為低阻狀態(tài)，使得晶體管導通。如果IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，金屬氧化物半導體場效應晶體管便會導通便會被截，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的驅(qū)動電壓過低，會導致IGBT工作不穩(wěn)定；如果驅(qū)動電壓過高，甚至超過柵極—發(fā)射極之間的耐壓，則有機會導致IGBT永久損壞。同樣，如果IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓超過允許值，則流過IGBT的電流會超限，導致IGBT的結溫超過允許值，也會有機會導致IGBT永久損壞。此時，我們就需要用到指針式萬用表來判斷IGBT是否受損。具體的操作如下：

首先，將萬用表撥到R×10KΩ檔（R×1KΩ檔時，內(nèi)部電壓過低，不足以使IGBT導通），用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發(fā)射極（E），此時萬用表的指針在零位；

然后，用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發(fā)導通，萬用表的指針明顯擺動并指向阻值較小的方向并能維持在某一位置；

接著，再用手指同時觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。

在檢測中，如出現(xiàn)以上現(xiàn)象均表示IGBT并無受損，否則該IGBT存在問題。

廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的IGBT用高可靠NTC熱敏芯片，因其耐高溫、高精度（精度可達±0.5%、±1%、±2%、±3%）、快速反應等特點，在IGBT模塊中起到不可或缺的作用。

參考數(shù)據(jù)：

微信公眾號 電子電路設計《IGBT場效應管的工作原理以及極性判斷、好壞判斷方法》