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技術(shù)支持
高精度NTC熱敏芯片與IGBT
發(fā)布者 : admin 發(fā)布時(shí)間 : 2020/07/28 09:07:02


IGBT模塊具有節(jié)約能源、安裝方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),其性能優(yōu)良,在工作中承擔(dān)“重任”,如果質(zhì)量不過關(guān),芯片或整個(gè)模塊將失去效用或者壽命縮短,這將影響整個(gè)器件乃至產(chǎn)品的正常運(yùn)行。IGBT內(nèi)部,則需要用到NTC熱敏芯片進(jìn)行溫度監(jiān)測(cè)和溫度控制,以免工作溫度過高而影響IGBT模塊的正常運(yùn)作。


為了能及時(shí)發(fā)現(xiàn)IGBT中的潛在問題,找出隱患,應(yīng)該對(duì)IGBT進(jìn)行可靠性測(cè)試,這有助于更深入地了解產(chǎn)品的可靠性,從而推進(jìn)產(chǎn)品的開發(fā)速度,優(yōu)化工藝流程,提升產(chǎn)品質(zhì)量。從可靠性的角度分析,IGBT模塊常見的失效模式包括芯片失效和模塊老化失效。芯片失效的原因主要包括過熱、過壓、過電流等,如過熱可能是由于環(huán)境溫度高,溫度保護(hù)點(diǎn)設(shè)置不合適、溫度保護(hù)不及時(shí),電流過大、器件損耗過高等引起。IGBT模塊老化失效主要是模塊的電極端子、外殼焊接層、芯片鍵合線等部位出現(xiàn)問題。不同的失效模式可以通過不同的可靠性方法進(jìn)行評(píng)估,如模塊的焊接層老化失效,可以通過溫度循環(huán)、溫度沖擊和功率循環(huán)等來判斷。


針對(duì)IGBT模塊的運(yùn)行過熱的問題,在模塊內(nèi)一般是采用散熱器(包括普通散熱器與熱管散熱器)進(jìn)行過熱保護(hù),并可進(jìn)行強(qiáng)迫風(fēng)冷。在IGBT模塊中安裝高精度NTC熱敏芯片,可以有效地檢測(cè)功率模塊的穩(wěn)態(tài)殼溫(TC)。根據(jù)不同的IGBT模塊,可將用于測(cè)量IGBT模塊殼溫的NTC熱敏芯片直接封裝在同一個(gè)陶瓷基板DCB)上,或是將高精度NTC熱敏芯片安裝在一個(gè)單獨(dú)的陶瓷基板上,使IGBT模塊殼溫的測(cè)量過程更高效、便捷。






參考數(shù)據(jù):


微信公眾號(hào) 廣電計(jì)量《IGBT“芯”支持 可靠“體檢”不可少!》

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