IGBT是電力電子裝置的“CPU”，在電力電子的變流和控制中起著舉足輕重的作用。然而，在IGBT模塊工作過(guò)程中，若出現(xiàn)模塊損耗過(guò)大，伴隨熱量難以耗散，就會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸。

IGBT爆炸的原因通常包括以下幾種情況：

一、內(nèi)部原因

發(fā)熱功率超過(guò)散熱功率，產(chǎn)生過(guò)熱現(xiàn)象，導(dǎo)致爆炸的發(fā)生。

二、人為原因

（1）進(jìn)線接在出線的端子上；

（2）變頻器接錯(cuò)電源；

（3）沒(méi)按要求接上負(fù)載裝置。

三、常見原因

（1）過(guò)電流：一種是負(fù)載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導(dǎo)致上下橋臂元件直通；

（2）絕緣的損壞；

（3）過(guò)電壓：通常是線路雜散電感在極高的DI/DT作用下產(chǎn)生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設(shè)計(jì)高性能吸收回路，降低線路雜散電感；

（4）過(guò)熱：IGBT不能完全導(dǎo)通，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度升高導(dǎo)致?lián)p壞；

（5）通訊誤碼率

a.通訊一段時(shí)間后，突然的錯(cuò)誤信息導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸；

b.通訊板FPGA程序運(yùn)行不穩(wěn)定導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸。

4.其他原因

（1）電路中過(guò)流檢測(cè)電路反應(yīng)時(shí)間跟不上；

（2）工藝問(wèn)題，螺絲擰不緊等；

（3）短時(shí)大電流，如主電路過(guò)壓、吸收電路未做好等；

（4）驅(qū)動(dòng)電源也是個(gè)應(yīng)該特別注意的問(wèn)題，該隔離的需要隔離、該濾波的需要濾波；

（6）電機(jī)沖擊反饋電壓過(guò)大導(dǎo)致IGBT爆炸，但對(duì)于充電時(shí)爆炸的情況發(fā)生的概率不是很大。

（7）電機(jī)啟動(dòng)時(shí)，輸入測(cè)電壓瞬間跌落，電容放電；輸入測(cè)電壓恢復(fù)后電容充電時(shí)的浪涌電流過(guò)大致使IGBT爆炸。

廣東愛(ài)晟電子科技有限公司生產(chǎn)的IGBT用NTC熱敏電阻芯片，在IGBT模塊中起到溫度監(jiān)測(cè)和溫度控制的作用，能夠保證模塊正常運(yùn)作，防止事故發(fā)生。

參考數(shù)據(jù)：

微信公眾號(hào) HORKE匯科工控 《變頻器IGBT爆炸原因及案例分析》