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技術(shù)支持
IGBT發(fā)展歷程
發(fā)布者 : admin 發(fā)布時間 : 2020/10/27 09:10:22



廣東愛晟電子科技有限公司專注于IGBT用NTC熱敏電阻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)已經(jīng)13年了,我司采用先進的半導(dǎo)體制程,確保了熱敏電阻芯片的高精度、高可靠、高靈敏。


IGBT集雙極結(jié)型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT)及金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)的優(yōu)點于一身,既有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點,又有MOSFET的開關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點。因此,IGBT在高壓、大電流、高速等方面是其他功率半導(dǎo)體器件不可比擬的,其是電力電子領(lǐng)域仲較為理想的開關(guān)器件,也是未來應(yīng)用發(fā)展的主要方向。


20世紀(jì)80年代至今,IGBT芯片經(jīng)歷了第五代至第六代的產(chǎn)品升級,從平面穿通型(PT)到溝槽型電場—截止型(FS-Trench),各方面的指標(biāo)都得到了不斷的優(yōu)化。芯片面積縮小為最初的四分之一,工藝線寬從5微米降到了0.5微米,通態(tài)飽和壓降3伏降到了1伏,關(guān)斷時間也變得更快,從0.5微秒降到了0.15微秒,功率損耗也更低,斷態(tài)電壓也從600V提高到了6500V以上。


根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)的數(shù)據(jù),全球前五大IGBT廠商的市場份額合計達74%,同時,從400V及以下的常規(guī)IGBT市場到4500V以上的高端IGBT市場,海外廠商的IGBT產(chǎn)品的市場優(yōu)勢地位均十分明顯。從低、中、高壓IGBT市場來看,大部分的廠商都提供600~1300V中壓范圍內(nèi)的IGBT分立和模塊解決方案,只有少數(shù)廠商專門從事低壓分立IGBT市場。


IGBT產(chǎn)業(yè)鏈一共可以分為四部分,芯片設(shè)計、芯片制造、模塊設(shè)計以及制造封閉性測試。其中,芯片設(shè)計和模塊設(shè)計以及工藝設(shè)計都有非常高的技術(shù)壁壘,需要真正專業(yè)化的研發(fā)團隊和長時間的技術(shù)積累。近幾年中國IGBT產(chǎn)業(yè)在國家政策推動和市場牽引下得到迅速發(fā)展,產(chǎn)業(yè)鏈逐步完善。從我國IGBT企業(yè)目前的競爭局面來看,制造和封測模組環(huán)節(jié)競爭力較強,以三大半導(dǎo)體廠商為主導(dǎo)的晶圓代工制造企業(yè)已經(jīng)具備了8~12寸IGBT芯片生產(chǎn)的技術(shù),并積極推進國產(chǎn)制造端的升級。但是在芯片設(shè)計端相對薄弱,只有少數(shù)的幾家公司具備競爭力。與集成電路相比,功率半導(dǎo)體也同樣存在集成元件制造商(IDM,Integrated Device Manufacturer)和無晶圓廠(Fab-less)兩種經(jīng)營模式。






參考數(shù)據(jù):


深度行業(yè)研究樂晴智庫精選《IGBT:功率半導(dǎo)體核心元器件》


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