廣東愛(ài)晟電子科技有限公司在IGBT熱敏芯片領(lǐng)域中的研發(fā)已超過(guò)14年，愛(ài)晟電子生產(chǎn)的NTC熱敏芯片，在IGBT模塊中起到溫度監(jiān)測(cè)和溫度控制的作用，能輔助IGBT模塊在工作中的安全運(yùn)作，防止因溫度過(guò)高，導(dǎo)致?lián)p壞。

隨著技術(shù)的進(jìn)步與功率半導(dǎo)體器件的不斷演進(jìn)，自上世紀(jì)80年代起，在下游市場(chǎng)中，功率半導(dǎo)體器件如IGBT、MOSFET和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用器件。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用最為廣泛的四個(gè)行業(yè)分別為計(jì)算機(jī)與外設(shè)30%、無(wú)線通訊20%，汽車電子15%，指示燈與顯示屏12%,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)慢慢拓展至新能源、消費(fèi)電子、軌道交通等其它領(lǐng)域。

IGBT是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，從上世紀(jì)80年代至今經(jīng)歷了六代技術(shù)演變，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開(kāi)關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”。從20世紀(jì)80年代至今，IGBT芯片也經(jīng)歷了六代升級(jí)，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場(chǎng)—截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到6,500V以上。

據(jù)搜狐科技數(shù)據(jù)顯示，2017年世界IGBT的市場(chǎng)規(guī)模為46.8億美元，較2016年上漲9.09%，預(yù)計(jì)未來(lái)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，到2022年世界IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到67.2億美金，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)維持在7%~9%之間。其中，中國(guó)成為IGBT需求上升最快的國(guó)家之一。根據(jù)集邦咨詢?cè)?019年IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展報(bào)告顯示，受益于新能源汽車及工業(yè)領(lǐng)域需求的大幅增長(zhǎng)，以及IGBT技術(shù)的成熟，IGBT市場(chǎng)規(guī)模迅速正在迅速擴(kuò)大。2018年，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模為153億人民幣，較2017年上漲了19.9%。國(guó)務(wù)院發(fā)布的《節(jié)能與新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》中提出，未來(lái)中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，到2025年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億人民幣，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到19.11%。

目前，中國(guó)IGBT芯片主要依靠進(jìn)口，制約性強(qiáng)、發(fā)展緩慢?，F(xiàn)在國(guó)內(nèi)外IGBT市場(chǎng)仍由外國(guó)企業(yè)占據(jù)，雖然我國(guó)IGBT市場(chǎng)需求增長(zhǎng)迅速，但由于國(guó)內(nèi)相關(guān)人才缺乏，工藝基礎(chǔ)薄弱，國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)業(yè)化起步較晚。IGBT模塊至今仍幾乎全部依賴進(jìn)口，市場(chǎng)主要由歐洲、日本及美國(guó)企業(yè)占領(lǐng)，他們憑借先進(jìn)的生產(chǎn)及制造工藝，占據(jù)了大約70%的市場(chǎng)份額。以此，國(guó)內(nèi)IGBT模塊要實(shí)現(xiàn)全面國(guó)產(chǎn)化，仍任重道遠(yuǎn)。

參考數(shù)據(jù)：

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