IGBT是一款復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，其由BJT(雙極型三極管，Bipolar Junction Transistor)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管，Metal Oxide Semiconductor)組成。為了實(shí)時(shí)監(jiān)測IGBT的工作溫度，防止其因溫度異常導(dǎo)致失效，通常需要安裝MELF貼片玻封NTC熱敏電阻作為溫控元器件。

在半導(dǎo)體電源應(yīng)用中，低電感的短路往往可能伴隨高電流發(fā)生，而這種短路狀況可能是由于驅(qū)動(dòng)干擾、半導(dǎo)體故障或者負(fù)載短路等導(dǎo)致的。而半導(dǎo)體開關(guān)，如IGBT、IGFET（絕緣柵場效應(yīng)晶體管，Insulated Gate Field Effect Transistor）、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor）等，則可以主動(dòng)限制短路電流，以保護(hù)整個(gè)程序以及外圍設(shè)備免受損壞。由于施加的全部電壓造成了半導(dǎo)體中的高電損耗，為了避免半導(dǎo)體開關(guān)的損壞，就需要在短路模式下快速關(guān)閉開關(guān)。因此，就需要有一款能改善短路、提高穩(wěn)定性的IGBT，且需置入MELF貼片玻封NTC熱敏電阻以實(shí)時(shí)監(jiān)測其工作溫度。

改善短路、提高穩(wěn)定性的IGBT，包括有半導(dǎo)體第一表面的發(fā)射端，半導(dǎo)體第二表面的集電極端，第一導(dǎo)電性類型的第一區(qū)域位于第一表面和第二表面之間的半導(dǎo)體中。集電極注入結(jié)構(gòu)與第二表面連接且其為第二導(dǎo)電類型，包括彼此之間第一橫向距離的第一部分和第二部分。值得注意的是，在IGBT的第一部分和第二部分之間的區(qū)域中還置入了一個(gè)毗鄰第一區(qū)域的MELF貼片玻封NTC熱敏電阻實(shí)時(shí)監(jiān)測IGBT的工作溫度。

廣東愛晟電子科技有限公司研發(fā)、生產(chǎn)的MELF貼片玻封NTC熱敏電阻，因溫度范圍廣、精度高、適合無引線封裝，在IGBT中起到溫度監(jiān)測以及溫度控制的作用。





參考數(shù)據(jù)：

US9825023B2《Insulated gate bipolar transistor comprising negative temperature coefficient thermistor》