IGBT模塊憑借其低傳導(dǎo)損耗與低導(dǎo)通電阻,成為新能源汽車電控模塊中不可或缺的核心部件。而IGBT在開關(guān)狀態(tài)以及過載狀態(tài)下的工作結(jié)溫均很高,為避免溫度過高影響散熱甚至引致失效,通常會設(shè)置NTC熱敏電阻進行溫度監(jiān)測。
目前常規(guī)的新能源汽車用IGBT模塊設(shè)計方案中,所使用的熱敏電阻多為廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的GT-T系列MELF貼片玻封NTC熱敏電阻。其優(yōu)勢在于:
一、靈敏度高,在IGBT工作過程中可快速響應(yīng)進行實時溫度監(jiān)測;
二、玻璃封裝,可耐受IGBT的高溫工作環(huán)境;
三、無引線結(jié)構(gòu),便于自動化表面貼裝。
隨著新能源技術(shù)的持續(xù)改良,為節(jié)省電路空間成本,使內(nèi)部設(shè)計更加精細,比IGBT模塊集成度更高的SiC碳化硅模塊成為近年熱門的半導(dǎo)體器件。為配合各大廠商進行模塊的研發(fā)升級,愛晟電子推出了一款應(yīng)用于SiC碳化硅模塊的固定電阻,其可在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的電性能。除此以外,固定電阻還有以下優(yōu)勢:
一、可用于邦定,適合IGBT、SiC碳化硅、GaN氮化鎵等功率模塊;
二、穩(wěn)定性優(yōu)異,可幫助SiC碳化硅模塊提高系統(tǒng)可靠性;
三、尺寸小,在優(yōu)化安裝空間的同時有助于降本增效;
四、良好耐候性,降低惡劣環(huán)境對于固定電阻的影響,有效保護SiC碳化硅模塊的工作免受環(huán)境因素干擾。
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