眾所周知，陶瓷電容的電容值隨電容電極表面面積、電極間距以及介電常數(shù)等因素的變化而變化，電容可以通過減小電極間的間距來增加。然而，陶瓷電容有一個(gè)常見的問題是當(dāng)陶瓷坯片或坯條的厚度降低到0.001英寸以下時(shí)，在處理過程中容易出現(xiàn)問題。極薄陶瓷胚片在燒制時(shí)，邊緣會(huì)迅速扭曲變形。由于極薄陶瓷胚片薄膜有撕裂和折疊的傾向，所以將薄膜從陶瓷胚片上剝離是一項(xiàng)困難而精細(xì)的操作。今天，我們介紹一種陶瓷電容的制作和改進(jìn)方法，該方法是利用極薄的陶瓷介質(zhì)去制作陶瓷電容，并通過較薄的介電分離來增加電容的電容量。

簡(jiǎn)單地說，這個(gè)方法包括在一個(gè)釋放表面上起決定性作用的第一電極，在該釋放表面澆鑄一層非常薄的陶瓷膜；在形成陶瓷薄膜后，在其頂端或另一側(cè)涂覆第二電極，然后在鑄膜頂部放置較厚的陶瓷體，并施加足夠的壓力，在一定程度上鞏固陶瓷電容，并從釋放表面取出。如果需要單層芯片電容，則外露的第二電極被覆蓋條覆蓋。如果需要多層芯片電容，則可以將電極和陶瓷體堆疊到適合的厚度。然后，則可進(jìn)行組合層壓，然后切割得到單個(gè)陶瓷電容，或者沿著電極表面的邊緣進(jìn)行刻痕，以便之后將芯片電容從多個(gè)點(diǎn)火組件中分離出來。

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