在這個(gè)電子產(chǎn)品暢銷的年代，因芯片電容尺寸小的特點(diǎn)，其被廣泛應(yīng)用于小型電子產(chǎn)品中。多層芯片電容（MLCC，Multi-Layer Chip Capacitor），多由銅（Cu）底層、鎳（Ni）鍍層、錫（Sn）鍍層構(gòu)成的。從芯片電容的結(jié)構(gòu)可以看出，陶瓷材料的特性，也就是介電常數(shù)、微粒結(jié)構(gòu)、陶瓷層的精細(xì)程度，是整個(gè)電容的關(guān)鍵因素。同時(shí)，廠家的設(shè)計(jì)不同，也會(huì)影響整體的可靠性。比如，內(nèi)部電極的設(shè)計(jì)，面積的大小等也會(huì)產(chǎn)生影響。今天，為大家簡(jiǎn)單介紹芯片電容的生產(chǎn)過(guò)程：

1、 配料：將陶瓷粉末、粘合劑以及溶劑等按一定比例混合，用球磨機(jī)按一定時(shí)間進(jìn)行球磨，得到陶瓷材料（陶瓷材料直徑達(dá)到微米級(jí)）；

2、 和漿：加入相關(guān)的添加劑將陶瓷材料和成陶瓷漿料；

3、 流延：將陶瓷漿料通過(guò)流延機(jī)的澆注口，使其在繞行的薄膜上形成一層均勻的漿料薄層，保證其表面平整；通過(guò)干燥(將漿料中絕大部分溶劑揮發(fā))后可得到陶瓷膜片，一般膜片的厚度在10um~30um之間；

4、 印刷：按照工藝要求，通過(guò)絲網(wǎng)印版將電極材料印刷到陶瓷膜片上；

5、 疊層：把印刷有電極的陶瓷膜片按設(shè)計(jì)的錯(cuò)位要求，疊壓在一起，使之形成芯片電容的巴塊；

6、 制蓋：制作芯片電容的上下保護(hù)片，以增加機(jī)械強(qiáng)度和提高絕緣性能；

7、 層壓：疊層好的巴塊，用層壓袋將巴塊裝好，抽真空包封后，用等靜壓的方式加壓使巴塊中的層與層之間結(jié)合更加緊密，嚴(yán)實(shí)；

8、 切割：將層壓好的巴塊切割成獨(dú)立的芯片電容生坯；

9、 排膠：將芯片電容生坯放置在烤爐中，按一定的溫度曲線(最高溫度一般在400℃左右)烘烤，以去除芯片中的粘合劑等有機(jī)物質(zhì)；

排膠作用：

1) 排除芯片中的粘合劑有機(jī)物質(zhì)，以避免燒成時(shí)有機(jī)物質(zhì)的快速揮發(fā)造成產(chǎn)品分層與開裂，以保證燒出具有所需形狀的完好的瓷件；

2) 消除粘合劑在燒成時(shí)的還原作用；

10、 燒結(jié)：將排膠后的芯片電容生坯進(jìn)行高溫處理，一般燒結(jié)溫度在1140~1340℃之間，將陶瓷粉燒結(jié)成陶瓷材料，形成陶瓷顆粒；該過(guò)程使其成為具有高機(jī)械強(qiáng)度，優(yōu)良的電氣性能的陶瓷體；

11、 倒角：燒結(jié)成瓷的芯片電容與水和磨介裝在倒角罐，通過(guò)球磨、行星磨等方式運(yùn)動(dòng)，使之形成光潔的表面，以保證產(chǎn)品的內(nèi)電極充分暴露，保證內(nèi)、外電極的連接；

12、 端接：將端漿涂覆在經(jīng)倒角處理后的芯片電容的外露內(nèi)部電極的兩端上，將同側(cè)內(nèi)部電極連接起來(lái)，形成外部電極；

13、 燒端：將封端后的芯片電容陶瓷顆粒放到高溫爐中進(jìn)行燒結(jié)，使其與電極版接觸縝密，形成陶瓷芯片電容初體；端接后，芯片電容經(jīng)過(guò)低溫?zé)Y(jié)才能確保內(nèi)外電極的連接，并使端頭與瓷體具有一定的結(jié)合強(qiáng)度；

14、 端頭處理：表面處理過(guò)程是一種電沉積過(guò)程，它是指電解液中的金屬離子(或絡(luò)合離子)在直流電作用下，在陰極表面還原成金屬(或合金)的過(guò)程；電容一般是在端頭(Ag端頭或Cu端頭)上鍍一層鎳后，再鍍層錫；

15、 外觀挑選：借助放大鏡或顯微鏡將具有表面缺陷的產(chǎn)品挑選出來(lái)；

16、 測(cè)試：對(duì)芯片電容的電性能方面進(jìn)行選別：容量、損耗、絕緣、電阻、耐壓，把不良品剔除；

17、 包裝：將芯片電容按照客人的包裝要求進(jìn)行包裝。

芯片電容的生產(chǎn)過(guò)程中，每一個(gè)細(xì)節(jié)都是不容忽視的關(guān)鍵。任何一個(gè)細(xì)節(jié)，都必須要嚴(yán)格按照生產(chǎn)工藝進(jìn)行，確保每個(gè)細(xì)節(jié)都能精準(zhǔn)無(wú)誤，才能保障芯片電容的品質(zhì)。廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的芯片電容，結(jié)構(gòu)獨(dú)特、性能一致性好、電容量大，適用于小型、微波的場(chǎng)合。