廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的單層芯片電容，適用于高頻、微波、小型、微型化的場合，如微波功率放大器、混合集成電路模塊、手機(jī)電路模塊、無線電微波通訊模塊等，是商用、民用的高可靠性芯片電容。

在現(xiàn)有加工工藝中，單層芯片電容一般采用厚膜印刷技術(shù)、層迭、切割、共燒的工藝，因此也會(huì)存在電極間的連接不夠可靠的質(zhì)量隱患。因此，制造一款高可靠單層芯片電容可以使其利用率更高。愛晟電子為大家介紹一款單層芯片電容，其諧振頻率高、精度高。具體的加工工藝包括以下步驟：

一、將準(zhǔn)備金屬化的陶瓷介質(zhì)基片在酒精中進(jìn)行超聲波清洗，然后干燥；

二、將基片上下兩個(gè)表面均用濺射工藝在真空或氣體保護(hù)下進(jìn)行濺射金屬化處理；

三、將金屬化后的基片進(jìn)行光刻處理，以制版后得到的負(fù)片為模板，通過光刻技術(shù)在金屬化后的基片上制作有保護(hù)性區(qū)域的精細(xì)的圖案；

四、將基片進(jìn)行常規(guī)電鍍、腐蝕、沖洗工藝處理，使基片的上下表面形成許多相同或?qū)ΨQ的金屬化的圖案；

五、將基片用熱塑性粘合劑粘貼在基板上，然后用精密切割機(jī)床按照所需的尺寸進(jìn)行切割； 

六、將切割后的基板用酒精或熱水進(jìn)行溶洗，使粘貼在基板上的基片與基板分離，分離出的基片即為具有上、下金屬電極的單層芯片電容；

七、將單層芯片電容進(jìn)行清洗，并在100~150℃烘干15~60分鐘，在室溫下放置24小時(shí)后進(jìn)行電性能測試。

其中，金屬化處理采用的金屬化材料是單一的金屬或合金；另外，金屬化處理是在基片上濺射至少一層金屬材料。

金屬材料包括鈦、鎢、鉑、鈷、銅、鎳、鈀、金、錫中的至少一種或它們之間任意組合的至少一種合金。

光刻處理是用類似照片處理的曝光、顯影過程進(jìn)行處理。

電鍍工藝所采用的鍍材是金、鎳、銅、錫、錫合金中的任意一種。

基板是鋼或鋁的金屬基板。

高可靠單層芯片電容具有以下優(yōu)點(diǎn)：

一、以真空高能濺射方式將金屬原子在高能電場下直接附著于陶瓷介質(zhì)表面，克服了厚膜印刷電路方式所存在的中間過渡層或者穿孔連接不可靠等問題。因此得到的芯片電容串聯(lián)等效電阻低，在微波高頻下的性能好。

二、采用先進(jìn)的光刻技術(shù)，因此所制得的芯片電容精度高。

三、與多層芯片電容相比，單層芯片電容避免了介質(zhì)層間形成的電流回路，在微波使用時(shí)具有更低的串聯(lián)等效電阻值和更高的品質(zhì)因數(shù)。





參考數(shù)據(jù)：

CN1601673A《單層電容器元件的制備方法》