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技術(shù)支持
SLC單層芯片電容及其加工工藝
發(fā)布者 : admin 發(fā)布時(shí)間 : 2022/07/28 09:07:27


隨著電子系統(tǒng)的持續(xù)發(fā)展,其對(duì)于可靠性、微型化、集成度等方面的要求也越來(lái)越高。而在電子系統(tǒng)中起到濾波、隔直流、調(diào)諧、射頻旁路等作用的SLC單層芯片電容,其在適應(yīng)電子系統(tǒng)上述要求的同時(shí),還具有低損耗、優(yōu)良介電性能等特點(diǎn),可適用于多種特殊應(yīng)用場(chǎng)景(如微波、毫米波等)。常規(guī)的單層芯片電容,其產(chǎn)品外形一般為正方體或長(zhǎng)方體。由于其尺寸小且靈活多變,在微波頻率條件下使用時(shí),可通過(guò)電極板的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)特定應(yīng)用功能。正是因?yàn)閱螌有酒娙莸倪@一特點(diǎn),也使它在各種無(wú)源元件中占據(jù)優(yōu)勢(shì)地位。

根據(jù)目前單層芯片電容的應(yīng)用前景,各大廠商對(duì)于其性能要求更高。愛(ài)晟電子今天介紹一種單層芯片電容加工工藝,相較于以往的加工技術(shù)能得到介電性能更好、寄生效應(yīng)更小、應(yīng)用頻率更高的SLC單層芯片電容。其具體工藝步驟如下:

一、對(duì)陶瓷基片進(jìn)行拋光;

二、均勻地將光刻膠分布于陶瓷基片上;

三、烘干陶瓷基片,該過(guò)程需注意光刻膠要全部烘干;

四、光刻:該過(guò)程需注意曝光區(qū)域的光刻膠要在顯影后全部溶解;而未曝光區(qū)域的光刻膠,其形成需保持翹、陡、高且沒(méi)有側(cè)蝕現(xiàn)象;顯影后烘干陶瓷基片;

五、采用濺射工藝在陶瓷基片上表面濺射金屬電極,該過(guò)程需控制濺射厚度不超過(guò)光刻膠厚度的;

六、采用剝離工藝將基片上表面的光刻膠以及相應(yīng)金屬電極剝離,以保證沉積于基片上的金屬電極保持附著,而沉積于光刻膠上的金屬電極則被剝離,并采用有機(jī)溶劑將殘余光刻膠溶解;

七、采用濺射工藝在陶瓷基片下表面濺射金屬電極;

八、根據(jù)需求切割陶瓷基片,得到SLC單層芯片電容。

廣東愛(ài)晟電子科技有限公司研發(fā)、量產(chǎn)的SLC單層芯片電容,具有尺寸小、等效串聯(lián)低、容量大等特點(diǎn),能滿足各種不同基板條件對(duì)于芯片電容的要求。





參考數(shù)據(jù):

《陶瓷基單層電容器(SLC)陣列設(shè)計(jì)與加工工藝實(shí)驗(yàn)研究》

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