常規(guī)的SLC單層芯片電容在組裝到PCB板過程中，若沒有足夠的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度便容易產(chǎn)生裂紋、剝落等情況。但是通過現(xiàn)有的制造工藝生產(chǎn)的單層芯片電容，增加陶瓷體的厚度以獲取更大的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，則難以保證電容值。

該怎么在保持大電容值的前提下得到高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度呢？愛晟電子推薦一款在保持原有尺寸同時，保證高電容值以及高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的單層芯片電容。這款芯片電容將電極定位于陶瓷介質(zhì)材料的各個層之間，以此構(gòu)建一個或多個內(nèi)部電極，該陶瓷介質(zhì)材料可以是Ⅰ類、Ⅱ類、Ⅲ類瓷介材料或其它任何適用于制造單層芯片電容的材料。其中，陶瓷介質(zhì)層至少有一個內(nèi)部埋入電極，且延伸至整個面，與位于四個側(cè)面的至少一部分及整個下表面的金屬層電接觸；同時，至少有一個電隔離的金屬化墊位于陶瓷體的上表面且電隔離于陶瓷介質(zhì)層內(nèi)部的所有電極。電隔離的金屬化墊與內(nèi)部電極的主表面平行，僅在陶瓷介質(zhì)層的上表面形成。

按這種制備方法生產(chǎn)的單層芯片電容，其電容值的范圍更寬，且保持高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。允許定制電容值的同時，還利用薄陶瓷介質(zhì)層在不犧牲結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的情況下提供高電容值。