單層芯片電容具有體積小、容量大、結(jié)構(gòu)堅(jiān)固、電氣性能穩(wěn)定、可靠性高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子、雷達(dá)、導(dǎo)航、衛(wèi)星通訊等。而單層芯片電容的晶界層陶瓷材料是一類利用特殊的顯微結(jié)構(gòu)即晶粒半導(dǎo)化、晶界絕緣化而形成的高性能陶瓷材料。由于晶界層陶瓷材料具有高介電常數(shù)及良好溫度特性而被應(yīng)用于單層芯片電容中，但是單層芯片電容尺寸比較小，切割精度的要求十分苛刻，特別是晶界層材料晶界間的粘附性較弱，傳統(tǒng)單層芯片電容的切割工藝會(huì)使晶格從陶瓷表面脫落，易產(chǎn)生崩瓷現(xiàn)象，所以一般會(huì)使用非常昂貴精密的進(jìn)口切割設(shè)備及進(jìn)口刀具，生產(chǎn)成本較高。

為了解決晶界層陶瓷切割過程中會(huì)出現(xiàn)崩瓷的問題，廣東愛晟電子科技有限公司推薦一種單層芯片電容的切割方法，可極大提高產(chǎn)品合格率及切割質(zhì)量。具體工藝步驟如下：

一、將帶有電極圖形的單層芯片電容上表面貼加保護(hù)膜或涂保護(hù)漆，厚度為0.1μm，放入真空烘箱內(nèi)烘干，時(shí)間為30mins，溫度為150℃；

二、使用自動(dòng)貼膜機(jī)將單層芯片電容貼于切割專用膜上，切割專用膜的粘度為5N/10mm，厚度為0.1mm；

三、使用自動(dòng)切割機(jī)，放入待切割的單層芯片電容，切割步數(shù)為3步切割：

第1步切割高度設(shè)為0.05mm，切割速度為1mm/s，主軸轉(zhuǎn)速為20000rpm；

第2步切割高度設(shè)為0.1mm，切割速度為2mm/s，主軸轉(zhuǎn)速為30000rpm；

第3步切割高度為0.23mm，切割速度為2mm/s，主軸轉(zhuǎn)速為35000rpm；


四、切割完畢的單層芯片電容放入自動(dòng)清洗機(jī)，采用二流體清洗，清洗去除芯片電容的保護(hù)膜或保護(hù)漆及切割的殘留粉末等雜質(zhì)，然后用氮?dú)鈽尨蹈桑?/span>

五、將單層芯片電容移至自動(dòng)解膜機(jī)，解除切割膜的粘性，進(jìn)行分選測試。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，該制備方法有以下優(yōu)點(diǎn):

1、通過對(duì)切割工藝的改進(jìn)，可整齊地切斷晶界層陶瓷材料的晶格，不產(chǎn)生崩瓷現(xiàn)象，可以切割出邊緣整齊、表面完好的單層芯片電容；

2、極大地提高產(chǎn)品合格率及切割質(zhì)量，同時(shí)克服使用進(jìn)口設(shè)備和刀具帶來的成本問題，降低生產(chǎn)成本，適用于工業(yè)化生產(chǎn)。





參考數(shù)據(jù)：

CN110228140A《一種單層片式晶界層陶瓷電容器的切割方法》