采用現(xiàn)有的配方和技術(shù)，NTC芯片只能做到超低阻值、超低B值，即電阻率若要做到0.3~0.6（kΩ.mm），則B值只能做到2700~2900K。如B值較小，會導致靈敏度較差，無法滿足客戶的特殊要求。為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，愛晟電子為大家介紹一種線性較好、可在較寬溫度范圍內(nèi)使用的低阻值高B值NTC芯片。該芯片的電阻率ρ為0.3~0.6（kΩ.mm），B值為3250~3400K。其制造方法如下：

1）材料配比：MnO25~45%、CoO30~50%、CuO5~10%、MgO1~5%、CrO1~5%、TiO1~5%；

2）陶瓷漿料制備：首先，將上述各成分按照重量百分比混合成粉料；然后，加入乙醇、粘合劑、分散劑配成漿料；其中，粉料：乙醇：粘合劑：分散劑的重量比=1：0.3~0.5：0.5~0.7：0.05~0.1；

3）流延成型：將配備好的漿料置于真空箱中，采用導管將漿料吸水承載膜上，得到厚度為20~70μm的膜；然后，環(huán)形傳送并經(jīng)烘箱以30~60℃烘干各層，循環(huán)制作至設(shè)計的層數(shù)和厚度；烘干后經(jīng)分離、切割、排膠、燒結(jié)得瓷片；

4）制電極：將燒結(jié)好的瓷片兩面涂覆銀電極；

5）劃片：根據(jù)阻值需求，將瓷片劃成所需尺寸，得到電阻率ρ為0.3~0.6（kΩ.mm），B值為3250~3400K的NTC芯片。

低阻值高B值NTC芯片，其線性較好，能更好地應用于溫度監(jiān)測的行業(yè)；而且，該芯片的電阻率ρ達到0.3~0.6（kΩ.mm），B值達到3250～3400K時，可在-60℃以下或更低溫度范圍使用。

檢測：電阻率算法：ρ=RS/T

公式中：R為NTC芯片在25℃溫度下（測試精度在±0.02℃）測得的阻值；S為NTC芯片的面積（長*寬）；T為NTC芯片的厚度。

B值算法：B=(T1*T2/(T2-T1))*㏑(R1/R2)

公式中：T1/T2一般為25/85，或者25/50，或者25/100；R1為溫度T1時的電阻值；R2為溫度T2時的電阻值；T1為298.15K (273.15+25℃)；T2為323.15K(273.15+50℃)