廣東愛晟電子科技有限公司研發(fā)、生產(chǎn)的SLC單層芯片電容因其尺寸小、厚度薄、無引線的特點(diǎn)，適合高密度的表面貼裝，在微波集成電路中起到隔直流、濾波、調(diào)諧等作用。然而，在常規(guī)技術(shù)中由于單層芯片電容尺寸小，在全自動(dòng)表面貼裝中往往難以操作。借助工具進(jìn)行貼裝（如顯微鏡）則會(huì)增加成本，并且需要保證能準(zhǔn)確貼裝，否則還會(huì)導(dǎo)致短路情況的發(fā)生。

為了解決上述技術(shù)問題，推薦一款適合表面貼裝的SLC單層芯片電容，其具有良好結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、簡單工藝、高性價(jià)比等特點(diǎn)，并能通過其薄介電層提供高電容值。這款芯片電容首先是將生坯狀態(tài)的陶瓷基片兩側(cè)金屬化，并放置于一對生坯狀態(tài)的復(fù)合金屬/陶瓷基片之間；通過等靜壓機(jī)將它們層壓在一起，然后通過燒結(jié)得到單層芯片電容陶瓷基片。

其中，中心電介質(zhì)層上的金屬層，即內(nèi)部電極的覆蓋面積小于中心電介質(zhì)層的整個(gè)區(qū)域，延伸至中心電介質(zhì)層的其中兩個(gè)相對邊緣，而不超過其它兩個(gè)相對邊緣。另外，陶瓷電介質(zhì)層和復(fù)合材料端部的陶瓷部分在金屬化不足的邊緣燒結(jié)在一起，由于本質(zhì)上是整體結(jié)構(gòu)，從而增加了對于單層芯片電容的結(jié)構(gòu)支撐。值得注意的是，復(fù)合材料端部包含導(dǎo)電金屬，中心電介電層不包含金屬，因此復(fù)合材料中的金屬會(huì)優(yōu)先鍍覆復(fù)合材料端部，而中心電介電層的純陶瓷則不會(huì)被鍍覆。由此而得到的單層芯片電容基本上是一個(gè)整體結(jié)構(gòu)，這意味著它是由固體結(jié)構(gòu)的材料燒結(jié)而成，從而消除了結(jié)構(gòu)內(nèi)部的邊界、接口等，且不包含環(huán)氧樹脂、膠水、焊料等。在整個(gè)生產(chǎn)過程中，唯一的組裝步驟發(fā)生在生坯狀態(tài)。而且這款單層芯片電容的導(dǎo)電金屬可以是Ag、AgNO3或AgCO3，另外也可以使用Cu、Ni及其合金，但這些金屬通常需要還原氣氛。Pd、Pt、Au及其合金也可以使用，但這些金屬通常比Ag基體系更昂貴。而陶瓷材料采用的是超低溫?zé)Y(jié)陶瓷材料，用于復(fù)合材料的導(dǎo)電金屬部分，其燒結(jié)溫度一般為800℃左右。這個(gè)溫度點(diǎn)可使超低溫?zé)Y(jié)陶瓷材料將與金屬部分最相容，需要注意的是，陶瓷材料必須在金屬熔點(diǎn)以下進(jìn)行燒結(jié)。

這款適合表面貼裝的單層芯片電容，其結(jié)構(gòu)完整性更有利于自身向小型化發(fā)展，而且其良好的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、簡單的工藝過程，也能為客戶提供范圍更廣的電容值。





參考數(shù)據(jù)：

US6969647B2《Method of making single layer capacitor》